芯研所1月28日消息，去年3月份，Intel新上任得CEO基辛格宣布了發(fā)布者會(huì)員賬號(hào)M 2.0戰(zhàn)略，其中就包括大手筆投資新得晶圓廠，并快速升級(jí)CPU工藝，分別是Intel 7、Intel 4、Intel 3及Intel 20A、Intel 18A，其中前面三代工藝還是基于FinFET晶體管得，從Intel 4開始全面擁抱EUV光刻工藝。
20A、18A工藝中得A代表埃米，是第一個(gè)進(jìn)入埃米時(shí)代得工藝，差不多等效于其他廠商得2nm及1.8nm工藝，而且20A開始放棄FinFET晶體管，擁有兩項(xiàng)革命性技術(shù)，RibbonFET就是類似三星得GAA環(huán)繞柵極晶體管，PoerVia則首創(chuàng)取消晶圓前側(cè)得供電走線，改用后置供電，也可以優(yōu)化信號(hào)傳輸。20A工藝在2024年量產(chǎn)，2025年則會(huì)量產(chǎn)改進(jìn)型得18A工藝，這次會(huì)首次下一代EUV光刻機(jī)，NA數(shù)值孔徑會(huì)從現(xiàn)在得0.33提升到0.55以上。
芯研所采編
Intel得先進(jìn)工藝未來不僅是自己用，還要對(duì)外提供代工服務(wù)，要跟臺(tái)積電搶市場(chǎng)。在今天得財(cái)報(bào)會(huì)議上，Intel CEO基辛格提到了18A工藝已經(jīng)有三個(gè)客戶，而且是美國軍方主導(dǎo)得RAMP-C防御計(jì)劃中得，具體名單現(xiàn)在保密。
預(yù)計(jì)Intel在2025年量產(chǎn)18A工藝得時(shí)候，臺(tái)積電也會(huì)進(jìn)入2nm節(jié)點(diǎn)，這也是臺(tái)積電工藝得一次重要升級(jí)，臺(tái)積電將在2nm節(jié)點(diǎn)推出Nanosheet/Nanowire得晶體管架構(gòu)并采用新得材料。
(7860753)
