多功能存儲(chǔ)芯片得測(cè)試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，各種存儲(chǔ)芯片得數(shù)據(jù)位寬（SRAM、MRAM、NORFALSH、NANDFLASH、EEPROM@。)對(duì)結(jié)口電路進(jìn)行了詳細(xì)得設(shè)計(jì)(如何將其載入NIOSII總線)，以及搭配相應(yīng)得存儲(chǔ)芯片測(cè)試座，最終解決了同一個(gè)平臺(tái)測(cè)試解決方案中不同數(shù)據(jù)位寬得各種存儲(chǔ)器芯片，并對(duì)每個(gè)結(jié)口得硬件實(shí)現(xiàn)方法進(jìn)行了詳細(xì)得設(shè)計(jì)。
存儲(chǔ)芯片時(shí)序讀寫
隨著電子技術(shù)得快速發(fā)展，存儲(chǔ)器芯片得種類越來越多，其操作方法也完全不同。所以，如果你想測(cè)試其中一個(gè)存儲(chǔ)芯片，需要匹配對(duì)應(yīng)得PIN腳專用存儲(chǔ)芯片測(cè)試座。各種存儲(chǔ)芯片測(cè)試系統(tǒng)為SRAM設(shè)計(jì)，NandFLASH、NorFLASH、MRAM、EEPROM和其它存儲(chǔ)芯片進(jìn)行功能測(cè)試，每一類和8、16、32、不同寬度得數(shù)據(jù)總線，如40。假如每一款產(chǎn)品都設(shè)計(jì)了一個(gè)單獨(dú)得測(cè)試平臺(tái)，就能想像測(cè)試操作得復(fù)雜性。
存儲(chǔ)芯片時(shí)序讀寫
遂設(shè)計(jì)了多功能存儲(chǔ)芯片測(cè)試系統(tǒng)搭載相應(yīng)得測(cè)試設(shè)備，如：晶圓封裝切割自動(dòng)擺盤機(jī)--TF/UDP 發(fā)布者會(huì)員賬號(hào)整盤開卡/識(shí)別測(cè)試機(jī)臺(tái)--QC外觀/容量檢測(cè)--自動(dòng)分選機(jī)--TF/UDP低格量產(chǎn)測(cè)試機(jī)臺(tái)--BGA/EMMC/TSOP存儲(chǔ)類芯片測(cè)試座/老化座，以簡(jiǎn)化測(cè)試步驟，降低測(cè)試復(fù)雜性，提高測(cè)試效率，降低測(cè)試成本，方便快捷地在同一平臺(tái)下測(cè)試所有上述存儲(chǔ)芯片。
存儲(chǔ)芯片時(shí)序讀寫
原理
根據(jù)上述存儲(chǔ)器獨(dú)特得讀寫時(shí)序訪問特性，本設(shè)計(jì)方案通過FPGA得靈活敬請(qǐng)關(guān)注程特性適當(dāng)調(diào)整了NIOSII得外部總線時(shí)序，最終實(shí)現(xiàn)了基于NIOSII得外部總線訪問各種存儲(chǔ)器讀寫時(shí)序得準(zhǔn)確操作。通過FPGA自定義一個(gè)專業(yè)掛載所有存儲(chǔ)器芯片得總線接口-ABUS。
時(shí)序讀寫
各種接入測(cè)試存儲(chǔ)芯片專業(yè)通過類別輸入信號(hào)，在同一接口上自動(dòng)識(shí)別。（CLAS）區(qū)分每一個(gè)存儲(chǔ)芯片對(duì)應(yīng)一個(gè)獨(dú)特得操作時(shí)間序列。以下是一些存儲(chǔ)芯片得接口連接方式和信號(hào)描述。其它存儲(chǔ)芯片專業(yè)通過類似得連接方式掛載到ABUS總線上，配備各種存儲(chǔ)芯片測(cè)試座，最后完成測(cè)試。
時(shí)序讀寫
40位NANDFLASH與NIOSII通過ABUS(FPGA)橋接,把外部總線得時(shí)序完全轉(zhuǎn)換成NANDFLASH得操作時(shí)序。
40位NANDFLASH芯片品由五個(gè)獨(dú)立得8位NANDFLASH芯片拼接構(gòu)成。5個(gè)8位器件得外部IO口拼接成40位得外部IO口，而各自得控制線（NCLE，NALE，NRE，NWE）連接在一起構(gòu)成一組控制線（NCLE，NALE，NRE，NWE），片選相互獨(dú)立引出成NCS0-NCS9,忙信號(hào)獨(dú)立引出為R/B0-R/B9。
時(shí)序讀寫
40位SRAM與NIOSII連接
40位SRM模塊與NIOSII通過ABUS連接，實(shí)現(xiàn)正確得時(shí)序讀寫操作。測(cè)試時(shí)，一次只測(cè)試8位，分5次完成所有空間得測(cè)試
時(shí)序讀寫
8位SRAM與NIOSII連接
8位SRM模塊與NIOSII通過ABUS（FPGA）連接，實(shí)現(xiàn)正確得時(shí)序讀寫操作
時(shí)序讀寫
根據(jù)深圳谷易電子生產(chǎn)得SSD-flash測(cè)試夾具_(dá)測(cè)試座_燒錄座_老化測(cè)試座_測(cè)試治具_(dá)測(cè)試機(jī)臺(tái)經(jīng)驗(yàn)，提供以下各存儲(chǔ)芯片測(cè)試座（各類存儲(chǔ)芯片測(cè)試座、老化座、燒錄座均有），（僅供參考）：
1、BGA152-132轉(zhuǎn)96pin存儲(chǔ)芯片測(cè)試座
存儲(chǔ)芯片測(cè)試座
2、BAG169-153 NAND Flash芯片測(cè)試座
NAND Flash芯片測(cè)試座
3、BGA132 SSD NAND Flash芯片測(cè)試座
Flash芯片測(cè)試座
4、EMMC存儲(chǔ)芯片測(cè)試座
EMMC存儲(chǔ)芯片測(cè)試座
