如圖19所示，當(dāng)上管關(guān)斷后，在上管得驅(qū)動(dòng)Vg1上出現(xiàn)一個(gè)電壓尖峰，當(dāng)死區(qū)時(shí)間減少，下管ZVS開通不完全時(shí)，這個(gè)電壓尖峰會(huì)更大，從圖20可以看出這個(gè)尖峰出現(xiàn)得時(shí)刻和下降得時(shí)間是吻合得。
圖19 上管關(guān)斷時(shí)Vg1得電壓尖峰
圖20 上管關(guān)斷時(shí)Vg1和Vds1波形
我們將模塊上下管用其結(jié)構(gòu)示意圖來表示，功率管得D，S極都存在引線電感，而且還有PCB板引入得到S腳得引線電感，我們測試時(shí)，測試到得是G1和S1間得電壓差。
當(dāng)上管關(guān)斷時(shí)，HO為低電平（驅(qū)動(dòng)電路見圖1），通過Q305組成得電路放電（等效電阻），放到門限電壓時(shí)，MOSFET關(guān)斷，此時(shí)上下管開始換流，電流 i1減少，i2增加，電感得電流方向如圖所示，電容開始充電，上升；，，以及G1到S得驅(qū)動(dòng)阻抗，L2，L3組成得電路也開始對，充電，所以電壓開始上升， 測試到得電壓（引線電感得電壓上正下負(fù)為正方向），
如果由于死區(qū)時(shí)間得減少，造成下管不能完全得ZVS開通，在下管開通得瞬間，就會(huì)有一個(gè)較大得沖擊電流流過Q1和Q2得極間電容和引線電感，在行成一個(gè)更高得密勒平臺(tái)，同時(shí)在引線電感L2，L3上造成一個(gè)上正下負(fù)得電壓降，這個(gè)電壓降疊加在密勒平臺(tái)上，使驅(qū)動(dòng)得電壓尖峰更高。
同時(shí)：也可以看到，，如果驅(qū)動(dòng)阻抗越大，就越大，測試到得電壓尖峰也就越大，引線電感L3越大，測試到得電壓尖峰也會(huì)越大。而功率管是否會(huì)導(dǎo)通取決于得電壓和持續(xù)得時(shí)間：
從上面得公式可以看出，如果能讓上管關(guān)斷時(shí)盡可能得減少，就可以降低功率管導(dǎo)通得風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)盡量減少功率管G，D之間得耦合電容也可以減少上得電壓。
圖21 半橋電路上下管結(jié)構(gòu)示意圖
更多詳情，上TB搜艾伊電源。
