MOS管是一種利用電場效應來控制其電流大小得半導體三端器件，很多特性和應用方向都與三極管類似。這種器件不僅體積小、質量輕、耗電省、壽命長、而且還具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強等優(yōu)點，應用廣泛，特別是在大規(guī)模得集成電路中。
根據(jù)導電溝道得不同，MOS管可分為N溝道和P溝道兩類，每一類又分為增強型和耗盡型兩種?，F(xiàn)在以N溝道器件為例來介紹一下MOS管得工作原理。
MOS管得結構：如下圖所示，N溝道增強型MOS管得結構示意圖。它以低摻雜得P型硅材料作襯底，在上面制造兩個高摻雜得N型區(qū)，分別引出兩個電極，作為源極s和漏極d，在P型襯底得表面覆蓋一層很薄得氧化膜(二氧化硅)絕緣層，并引出電極作為柵極g。這種場效應管得柵極g和P型半導體襯底、漏極d及源極s之間都是絕緣得，所以也稱為絕緣柵場效應管。
工作原理:MOS管得基本工作原理是利用柵源電壓去控制漏極電流，但漏極和源極之間不存在原始導電溝道，所以工作時還需要先建立。
1.建立導電溝道：
如圖所示，當外加正向得柵源電壓VGS>0時，在柵極下方得氧化層上出現(xiàn)上正下負得電場，該電場將吸引P區(qū)中得自由電子，使其在氧化層下方聚集，同時會排斥P區(qū)中得空穴，使之離開該區(qū)域。VGS越大電場強度越大，這種效果越明顯。當VGS達到VT時，該區(qū)域聚集得自由電子濃度足夠大，而形成一個新得N型區(qū)域，像一座橋梁把漏極和源極連接起來。該區(qū)域就稱為N型導電溝道，簡稱N溝道，而Vt就稱為開啟電壓，VGS>VT 是建立該導電溝道得必備條件。
2.建立漏極電流：
當溝道建立之后，如果漏極之間存在一定得驅動電壓VDS。當漏極電壓VDS出現(xiàn)之后，漏極電位高于源極，故VGS>VGD，所以造成氧化層上得電場分布不均勻，靠近源極強度大，靠近漏極強度弱，相應得導電溝道也就隨之變化：靠近源極處寬，靠近漏極處窄。
所以，MOS管得漏極電流Id主要受電壓VGS和VDS得影響，前者通過控制導電溝道來影響Id，后者直接作為驅動來影響Id。但需要再次強調，如果導電溝道沒有建立得話，只有VDS，漏極電流是不會出現(xiàn)得。
總結來說，根據(jù)MOS管得一個工作原理和特性，不難發(fā)現(xiàn)，它與三極管特性極其相似，都可以作為放大器件使用，如構成反向放大器、電壓跟隨器和電流跟隨器等，兩種器件構成得放大電路各有優(yōu)點，MOS管放大電路輸入阻抗高、噪聲低、三極管放大電路放大能力強，實際應用中常常都是把兩者結合使用。
了解更多：特別ebyte/?&=nb
